一·设备用途：
1. 提纯金属、半导体、有机和无机的化学材料；
2. 区熔致匀（使一种欲掺入的杂质十分均匀地分布在整个单晶体中）
3. 焊接和测量液体中的扩散率等。
二·设备优点：
1·区熔加热炉采用往复区熔的方式，闭环温度控制，可靠的控制熔区的宽度问题；生长室的设计成功解决生长室的污染问题，
2·将加热及保温材料均设置在生长腔室外部，采用高纯石英作为腔室，同时抽真空；将流动高纯氢气通入腔室，去除腔室中的微量氧，解决氧化的问题；
3·开发高柔性的控制软件，采用触摸屏进行操作，任意设置区熔的温度，区熔的速度及次数。
三·主要技术参数
1.最高加热温度： 1100℃ 使用温度：500-1000℃
2.设备功率： 25Kw±10% 三相380v 50Hz（三相五线制）
3.感应电源功率： 15Kw±10% 三相380v 50Hz（三相五线制）
4.冷态极限真空度： ≤6.7×10-4Pa
4.冷态极限真空度： ≤6.7×10-4Pa
5·石墨舟尺寸： Ф70*200mm（内径*长度，半圆柱）
6·石英管（腔室）尺寸：¢100*1200（根据实际情况做调整）
7·加热方式： 高频感应加热
9·区熔行程及速度： 位移行程 ≦1000mm
慢速：1-10mm/h（伺服控制）精度0.01mm
快速：50-200mm/min（伺服控制）可根据客户需求设计
10.炉内充气压力： ≤0.03MPa（氩气）
11·充气系统： 自动充放气
12.区熔温区： 1温区
13.石英管法兰连接方式：真空水冷密封法兰形式，留KF25真空接口，法兰材质304不锈钢
14.控制方式：触摸屏+plc
